Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

интервал рабочих температур ЛТ и так далее. Конкретные значения этих параметров зависят от выбора используемых материалов для диэлектрика и обкладок, а также от конструктивного варианта реализации. Конструкция (рис. 8.1а), в которой контур верхней обкладки вписывается в контур нижней обкладки, предназначена для реализации конденсаторов по­ вышенной емкости (сотни и тысячи пикофарад). Ее особенностью является то, что несовмещение контуров обкладок не сказывается на точности реализации в силу наличия компенсатора. Кроме того, распространение диэлектрика за кон­ тур нижней обкладки гарантирует надежную изоляцию обкладок при их пре­ дельном несовмещении. Для конденсаторов небольшой емкости (десятки и сотни пикофарад) це­ лесообразна конструкция (рис. 8.16) в виде пересекающихся проводников оди­ наковой ширины, разделенных слоем диэлектрика. Емкость конденсатора дан­ ной конструкции нечувствительна к смещению обкладок. Для реализации высокочастотных конденсаторов применяют гребенча­ тую конструкцию (рис. 8.1в), в которой обкладки расположены в одной плоско­ сти, имеют гребенчатую форму, а диэлектрик является составным типа "под- ложка-воздух" либо "подложка-диэлектрическое покрытие". Расчет геометрических размеров конденсаторов. Емкость пленочного конденсатора (рис. 8.1а, б) определяется по извест­ ной формуле: где S - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика; S - пло­ щадь перекрытия обкладок; d - толщина диэлектрика; п - количество диэлек­ трических слоев. В случае использования двухслойного диэлектрика эффективная диэлек­ трическая проницаемость ^ _s-Sq- S _ 0.0885 -n-s-S (8.1) A-Ti-d d s d^ + 6/2 (8.2) эф d j s , +djs^ ' 59