Информационные технологии проектирования интегральных микросхем
R го 1.5 m / / / лЕ. °L 20 ^5 Ю Q5 '5 -to -15 -20 Степениподгонки^% -то ф/ а ! *50% >/J% ^ноитр. 25 50 ?5 !00 t.l Рис. 6.3 Рис. 6.4 На рис. 6.4 представлены графики зависимости относительного измене ния сопротивлений во времени, изготовленных на основе сплава РС-3710 и л подвергнутых подгонке при нагрузке 2 Вт/см . Видно, что наибольшее измене ние сопротивления происходит в первые 25 часов испытаний, причем тем большим, чем выше степень подгонки. Таким образом, следует отметить, что любые методы подгонки, основанные либо на изменении электрофизических характеристик резистивных пленок, либо на изменении геометрических разме ров, приводят к ухудшению временной и температурной стабильности резисто ров. Свободна от этих недостатков конструкция резистора рис. 6.5, где подгон ка осуш,ествляется ступенчато путем удаления тттунтируютттих перемычек без воздействия на резистивную пленку. 1 1 1 4тш I а) б) Рис. 6.5 Конструкция резисторов для ступенчатой подгонки предусматривает две части: основную длиной /о и дополнительную с подгоночными секциями дли ной /с. При этом шаг подгонки может быть постоянным и переменным. Дис кретное изменение сопротивление сопротивления осуш,ествляется удалением 47
Made with FlippingBook
RkJQdWJsaXNoZXIy MTY0OTYy