Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

Это объясняется тем, что возникающее при импульсном нагреве резистора ме­ ханические напряжения могут привести к образованию микротрещин, способ­ ствующих интенсификации окислительных процессов. В силу этого происходит смещение ТКС в сторону больших положитель­ ных значений. Это явление объясняется тем, что сопротивление резистивной пленки складывается из сопротивления зерна, обладающего металлической проводимостью, и сопротивления промежутка между зернами, определяемого сопротивлением слоя окислов, образующихся между зернами, и имеющее от­ рицательный ТКС. Влияние химических методов подгонки на стабильность резисторов. Методы химической подгонки сопротивления резисторов основаны на использовании окислительно-восстановительных реакций, протекающих на по­ верхности и внутри пленок. Подвергая пленку дополнительному окислению, в значительной мере увеличивают ее сопротивление и тем самым получают рези­ сторы требуемого номинала. При этом образование в процессе подгонки на по­ верхности пленки защитного окисного слоя значительно повышает коррозион­ ную стойкость резистивного материала, уменьшая тем самым влияние клима­ тических факторов на временную стабильность. Влияние лазерной обработки на стабильность резисторов. Метод лазерной подгонки получил наиболее широкое распространение благодаря высокой разрешающей способности, скорости обработки, возможно­ сти использования для функциональной подгонки. Использование лазерного луча дает возможность производить подгонку либо испарением резистивного материала, либо отжигом резистивной пленки расфокусированным лазерным лучом. Значительный тепловой поток увеличивает температуру области, окру­ жающей лазерный рез. При этом возникающие локальные напряжения могут привести к образованию микротрещин, являющихся причиной нестабильности величины сопротивления. Кроме того, с ростом рассеиваемой мощности темпе­ ратура пленки возрастает и пленка подвергается термическому окислению. Скорость протекания этого процесса растет экспоненциально с температурой. 45