Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

дающиеся изменением сопротивления. Для реализации этого метода использу­ ется нагрев резистора пропусканием через него электрического тока или излу­ чением оптического квантового генератора. При этом наиболее целесообразно использовать импульсное воздействие тока, позволяющее достигнуть точность подгонки порядка 0,1% при перекрытии технологического разброса 20-30%. Следует заметить, что нагрев резистора на воздухе приводит к упорядочению структуры пленки и, как следствие, к уменьшению сопротивления. Однако, при увеличении интенсивности нагрева происходит окисление поверхности зерен, тем самым увеличивая сопротивление резистивной пленки. Если в процессе по­ лучения пленка подвергалась термообработке в вакууме, то последующее из­ менение сопротивления за счет упорядочения структуры оказывается незначи­ тельным. В этом случае преобладает процесс, вызывающий увеличение ее со­ противления за счет окисления зерен. В частности, зависимость относительного изменения сопротивления резистора от числа электрических импульсов и их амплитуды приведена на рис. 6.1. го /5 ш 5 о 2 4 6 S Ш п Рис. 6.1 Видно, что по мере повышения подводимой к резистору импульсной мощности происходит отжиг дефектов и в силу этого происходит понижение сопротивления на 20-30%. Однако следует учитывать, что временная стабиль­ ность находится в прямо пропорциональной зависимости от степени подгонки. 44