Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

Расчет геометрических размеров контактной области осуществляется в следующей последовательности: 1. Определяется минимально возможное значение переходного сопротив­ ления согласно (5.10) для самого низкоомного резистора. Здесь R* определяется выбранной технологией изготовления резисторов и лежит л В пределах i?*=0,01~0,l [Ом-мм ] для процесса без съема вакуума. Найденное таким образом i?nep должно удовлетворять условию: D ——• 100 <ARrr ; где AR^ - величина, определяемая (4.3). -^доп ^доп Если это условие не выполняется, то необходимо увеличивать ширину резистора, а далее скорректировать значение длины данного резистора. 2. Определяется необходимое значение длины перекрытия резистивной и проводящей пленок согласно (5.11). 3. Согласно (5.12) определяется мощность, рассеиваемая единицей пло­ щади контактного перехода. Найденная, таким образом, Ркх должна удовлетворять условию Ркх ^ Ро', где P q - удельная мощность рассеяния данного резистивного материала. 4. Если это условие не выполняется, необходимо либо использовать кон­ струкцию резистора с расширением приконтактной зоны (рис. 5.2), ли­ бо увеличивать значение /* до приемлемой величины. Контрольные вопросы 1. Механизмы проводимости в контактной паре "пленка-пленка". 2. Вид уравнения, описывающего распределение потенциала вдоль кон­ тактной области. 3. Методы обеспечения теплоотвода от контактной области. 4. Нути и методы уменьшения сопротивления контактной области. 5. Последовательность расчета геометрических размеров контактной об­ ласти. 42