Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

электрорадиоэлементы которых изготовлены в виде совокупности тонких (ме­ нее 1 мкм) пленок и толстопленочные толщиной 10-15 мкм. Гибридная интегральная схема - интегральная микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы. Подложка интегральной микросхемы - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных интегральных микросхем, межэлементных и межкомпонентных соединений, а также контактных площа­ док. Плата интегральной микросхемы - часть подложки гибридной интеграль­ ной микросхемы, на поверхности которой нанесены пленочные элементы мик­ росхемы, межэлементные и межкомпонентные соединения, а также контактные площадки. Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового мате­ риала, используемая для изготовления полупроводниковой интегральной мик­ росхемы. Кристалл интегральной микросхемы - часть полупроводниковой пласти­ ны, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупровод­ никовой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. По конструктивно-технологическому исполнению интегральные микро­ схемы подразделяются на три группы, которым присваивают следующие обо­ значения: 1,5,6,7 - полупроводниковые; 2,4,8 - гибридные; 3 - прочие (пленочные, керамические и т.д.). Классификация интегральных микросхем (ИМС) по конструктивно- технологическому признаку. 4

RkJQdWJsaXNoZXIy MTY0OTYy