Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

Таблица 16.4. Параметры конденсаторов К10-17. Пределы но Г] минальных емкостей для рупп ТКС, пФ Допустимая реактивная мощность, вар Габаритные размеры, мм Масса, г, не более пзз М47 М75 L В И Li Hi m 22-68 22-82 33-100 1 1.5 1.2 1.0 1.5 1.4 1.2 0.2-0.5 0.1 75-150 91-180 110-200 2 2 1.7 1.0 2 1.9 1.2 0.2-0.7 0.1 160-510 200-620 220-910 3.5 4 2.7 1.0 4 3.0 1.2 1-1.5 0.2 560-910 690-1000 1000-1200 5 5.5 2.7 1.0 5.5 3.0 1.2 1.5-2 0.3 1000-1800 1100-2000 1300-2400 10 5.5 4.3 1.0 5.5 4.6 1.2 1.5-2 0.4 560-820 680-1000 1000-1500 7 4 2.7 1.8 4 3.0 2.0 1-1.5 0.3 1000-1500 1100-1800 1600-2000 10 5.5 2.7 1.8 5.5 3.0 2.0 1.2-2 0.4 2000-3000 2400-3600 2700-3900 20 5.5 4.3 1.8 5.5 4.6 2.0 1.5-2 0.5 Ч / 1 5 .л ,л й) Рис. 16.7 Таблица16.5. Параметры конденсаторов К10-9 Типо­ размер Пределы номинальных емкостей для групп ТКС, пФ Допустимая реакт. мощ­ ность, вар Габаритные размеры, мм Масса г, не более ПЗЗ, М47 М75 М1500 ИЗО Н90 L В S Si 1 2.2- 10 11-24 36- -1000 150- -1000 1000- -3300 1.25 2 2 0.6 2 1.2 0.1 2 11- 27 27-51 110- -200 1500 4700 2.5 2 4 4 0.15 3 30- 51 56- 120 220- -390 2200- -3300 6800- -10000 5 4 0.3 4 10- 51 22- -120 180- -390 680- -3300 1000- -10000 5 2.5 5.5 5.5 0.3 5 56- 120 130- -270 430- -1000 4700- -6800 15000- -2200 10 6 0.6 6 11- 24 27-62 110- -240 1500- -2200 4700- -10000 1.25 2 2 1 2 1.5 0.1 7 30- 62 56- -120 220- -470 2200- -4700 6800- 15000 2.5 2 4 4 0.15 8 68- 120 130- -270 520- -1000 6800- -10000 22000- -33000 5 4 0.3 9 56- 120 130- -270 430- -2000 4700- -10000 15000- -33000 5 2.5 5.5 5.5 0.6 10 130- 330 300- -620 1100- -2400 15000- -33000 57000- -68000 10 6 0.6 11 27- 38 68-91 273- 390 3300 15000 2,5 2 2 1,4 2 2 0,2 134