Информационные технологии проектирования интегральных микросхем

s,/s^ i I jn^. Шу J s z *OJ г) 6} 6} a) Рис. 16.3 Таблица 16.3. Способы установки на плату, электрические параметры, га­ баритные и присоединительные размеры бескорпусных диодных матриц, диод- ных сборок, диодов Способ Тип Электрические параметры Габаритные размеры, Масса, г. установки мм, не более не более ^обр тах^ кол-во схема а b И В мА соединии соединения Рис. 16.4а 2Д918Б, 2Д918Г, КД907Б, КД907Г 40 50 4 с общим анодом 1.15 1.15 1.0 0.005 0.006 Рис. 16.46 КД907А- КД901Г 10 - 6 с общим катодом 1.1 1.3 0.8 0.005 2Д904А- 12 5 6 1.3 1.1 2Д904Е 1.0 1.0 1.0 0.010 Рис. 16.4в 2ДС408А, 2ДС408Б 12 20 4 диоды не соединены между со­ бой 0.9 1.1 0.7 0.006 Рис. 16.4г 2Д910А- 5 10 3 с общим 1.0 1.0 1.0 0.01 2Д910В катодом 1.0 1.0 1.0 - 2Д911А- 2Д911Б Рис. 16.4в 2Д912А 10 5 3 с общим анодом 0.75 0.75 0.34 0.01 КД913А 10 10 3 с общим катодом 0.75 0.75 0.75 0.002 Примечание: Ц)бр max - постоянное обратное напряжение в интервале температур -60 80° С; ^бp max - суммарный срсдний прямой ток через все диоды или один диод в интервале температур -60 80° С. 132