Электроника

83 Электрод полевого транзистора, через который втекают носите- ли заряда в канал, называется истоком (И), а электрод, через который из канала вытекают носители заряда, – стоком (С). Эти электроды обратимы. С помощьюнапряжения, прикладываемого к третьему элек- троду, называемому затвором (З), осуществляют перекрытие канала, т.е. изменяют удельную проводимость или площадь сечения канала. Различают два типа полевых транзисторов: 1) с управляющим р-n- переходом; 2) с изолированным затвором (МДП-транзисторы, представляющие собой структуру металл – диэлектрик – полупро- водник). МДП-транзисторы, в свою очередь, делятся на транзисто- ры со встроенным и индуцированным каналами. Полевые транзисторы имеют существенные преимущества по сравнению с биполярными: 1) высокое входное сопротивление (10 6 – 10 7 Ом – у транзисторов с управляющим p-n -переходом и 10 10 – 10 15 Ом у МДП-транзисторов); 2) большая устойчивость к воздействию ионизирующих излу- чений; 3) устойчивость к низкой температуре; 4) низкий уровень шумов; 5) малая площадь на поверхности кристалла полупроводника, что позволяет широко применять их в интегральных микросхемах. Свойства ПТ характеризуют передаточными (рис. 4.2, а ) и вы- ходными (рис. 4.2, б ) ВАХ. Рис. 4.2. Характеристики полевого транзистора: а и б – передаточная и выходная ВАХ соответственно; ( 1 – линейная область; 2 – область насыщения; 3 – область пробоев; 4 – область отсечки) a б 1 2 3 4