Электроника

57 Увеличив сопротивление резистора R к до 2 кОм и повторив рас- четы для нового значения R к , получим: I б = 143 мкА; I к = 14,3 мА; U кэ =-13,6 В. Поскольку напряжение между коллектором и эмиттером отри- цательно, коллекторный переход смещен в прямом направлении и транзистор находится в режиме насыщения. Следовательно, в этом случае необходимо использовать другую модель транзистора. Расчетная схема, соответствующая режиму насыщения, пока- зана на рис. 3.11. Ток базы по-прежнему равен 143 мкА. Однако те- перь ток коллектора не зависит от I б и равен   к нас к 3 15 0, 2 7, 4 мА 2 10 к E E I R       . Рис. 3.11. Схема замещения в режиме насыщения (к задаче 3.2) Задача 3.3. Рассчитать токи и напря- жения в схеме, показанной на рис. 3.12. На- пряжение источника питания E к = 10 В, на- пряжение источника в цепи базы E б = 1,7 В, сопротивление резисторов R э = 1 кОм, R к = 5 кОм. Коэффициент усиления тока базы  = 99, напряжение эмиттерного перехода равно 0,7 В. Рис. 3.12. Схема для расчета к задаче 3.3 Е к Е нас R к I к Е 0 Э R б I б К Е к R к R э Е б VT