Электроника

48 Эмиттер – область, из которой осуществляется инжекция носи- телей заряда в базу. Коллектор предназначен для экстракции носителей заряда из базы. Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой на- зывается эмиттерным, между базой и коллектором – коллекторным. В зависимости от сочетания знаков и величин напряжений на p-n -переходах различают следующие режимы включения транзис- тора: • активный – напряжение на эмиттерном переходе прямое, на коллекторном – обратное; • отсечки – на обоих переходах напряжения обратные (запира- ющие); • насыщения – на обоих переходах напряжения прямые; • инверсный – коллекторный переход под прямым напряжени- ем, эмиттерный – под обратным. В зависимости от того, какой из электродов транзистора явля- ется общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзистора: 1) с общей базой (рис. 3.2, а ), 2) с общим эмиттером (рис. 3.2, б ); 3) с общим коллектором (рис. 3.2, в ). Рис. 3.2. Схемы включения транзистора: а – с ОБ; б – с ОЭ; в – с ОК Наиболее часто применяется схема ОЭ, так как позволяет по- лучить наибольший коэффициент усиления по мощности. Она имеет достаточно высокие коэффициенты усиления по напряжению (с ин- вертированием фазы входного напряжения на 180 °), по току и отно- сительно высокое входное сопротивление. а б в I вх = I э I вх = I б I вых = I к =  I б I вх = I б I вых = I э = I б = (1+  ) U бк U кэ U кэ U кб U эб U бэ I вых = I к =  I э