Электроника

207 Обычно Q ост значительно меньше Q гр , а Q гр << Q стац , поэтому в первом приближении можно пренебречь остаточным зарядом. По окончании процесса рассасывания начинается последний этап переходного процесса – запирание транзистора. Длительность запи- рания обычно определяется процессом заряжения коллекторной ем- кости, протекающей с постоянной времени к к К R С   , длительность среза по уровню I К = 0,1 I КН равна c К К 2,3 t R С   . (8.16) Время включения t вкл и время выключения t выкл равны t вкл = t зф + t ф , (8.17) t выкл = t р + t с . (8.18) При практическом определении времен t зф , t ф , t р , t с обычно ис- пользуются уровни 0,1 I кн и 0,9 I кн . Задача 8.1. Транзисторный ключ на транзисторе типа П416 (германиевый р-n-р -типа) работает в диапазоне -60 °С до +70 °С. Из условия обеспечения помехоустойчивости нуля принимаем U 0 пом = 0,4 В. Значение R б = 1 кОм; U бэ пор = -0,2 В. Определить величину U 0 вх , обеспечивающую надежное запира- ние транзистора. Решение. Из справочника находим, что при +60 °С I к0 | 60 °C = 0,1 мА. Тогда при 70 °С тепловой ток коллекторного перехода равен I к0 | 70 °C = 0,1 . 2мА = = 0,2 мА, так как температура удвоения 10 °С. Из условия запирания p-n-p транзистора находим: U 0 пор = I к0 max R б + U бэ пор = 0,2 10 -3 10 3 – 0,2 = 0 В. Таким образом, для надежного запирания при максимальной тем- пературе и заданной помехоустойчивости получим U 0 вх = U 0 пор + U бэ.пом = 0 + 0,4 В = 0,4 В. Задача 8.2. Рассчитать сопротивление в цепи базы транзистор- ного ключа (рис. 8.6), при котором транзистор находится в состоянии насыщения ( U кэ = U кэ нас  0,2 В). Значения элементов: R к = 1 кОм; Е к = 5 В; U 1 вх = 5 В;  = 50; S = 2.