Электроника

205 чения – E Б до напряжения отпирания эмиттерного перехода U * (для кремниевого транзистора U *  0,6 В для германиевого U *  0,2 В). Этот процесс протекает с постоянной времени  c :  c = R б C вх . (8.7) Входную емкость С вх обычно принимают равной сумме барь- ерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов: C вх = C э бар + C к бар . Время задержки фронта определяется формулой Б б зф с * Б ln E E t E U        . (8.9) Ток заряжения входной емкости показан на рис. 8.5 штриховой линией. В момент t 1 открывается эмиттерный переход и начинается инжекция носителей в базу, транзистор переходит в активный режим. На этапе 2) коллекторный ток возрастает до значения I КН . Процесс формирования фронта характеризуется эквивалентной постоянной вре- мени  oe :   oe К К 1 R C       , (8.10) где  – время жизни неосновных носителей в базе; К С – усредненная емкость коллекторного перехода. Обычно принимают К К 1,6 С С  для сплавных и К К 1,4 С С  для дрейфовых транзисторов, где С К – ем- кость коллекторного перехода запертого транзистора. Длительность фронта t ф = t 2 - t 1 определяется формулой Б ф oe oe Б КН ln ln 1 I S t S I I                         . (8.11) В конце этапа формирования фронта в базе транзистора накап- ливается заряд Q гр , а напряжение на коллекторном переходе падает до нуля. После того как транзистор начал работать, в режиме насы- щения внешних изменений в схеме ключа не происходит. Однако про- –