Электроника

167 Рис. 6.11. Варианты схем составных транзисторов: а – n-p-n -транзистор Дарлингтона; б – p-n-p- транзистор Дарлингтона; в – n-p-n- транзистор Шиклаи; г – p-n-p- транзистор Шиклаи; д – комбинированный Номер варианта Задание 6 Для схемы на рис. 6.11, а рассчитать I к , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 7 Для схемы на рис. 6.11, б рассчитать I к , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 8 Для схемы на рис. 6.11, в рассчитать I к , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 9 Для схемы на рис. 6.11, г рассчитать I к , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 10 Для схемы на рис. 6.11, д рассчитать I с , если S 1 = 20,  2 = 100, U б =1мВ 11 Для схемы на рис. 6.11, а рассчитать I э , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 12 Для схемы на рис. 6.11, б рассчитать I э , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 13 Для схемы на рис. 6.11, в рассчитать I э , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 14 Для схемы на рис. 6.11, г рассчитать I э , если  1 = 100,  2 = 50, I б = 1 мкА 15 Для схемы на рис. 6.11, д рассчитать I и , если S 1 = 20,  2 = 100, U б = 1мВ a б в г д Задача 6.3 1. Рассчитать значения элементов в схеме источника тока (рис. 6.12), обеспечивающие требуемое значение I н . Значения эле- ментов приведены в табл. 6.3. Э T 1 Э Э Э И T 1 T 1 T 1 К К К К Б Б Б Б T 2 T 2 З С VT2 VT1 R Окончание табл. 6.2