Электроника

127 • мощности вых вх P P K P  ; 2) сопротивления • входное 1 вх 1 U R I    , • выходное 1 н 2 вых 2 0, U R U R I             . 5.2. Усилительные свойства биполярного транзистора при различных способах включения Для маломощного транзистора можно взять следующие типич- ные значения h -параметров: в схеме с ОБ: h 11Б = 30 Ом; h 12Б = 10 -4 ; h 21Б = -0,98; h 22Б = 1 мкСм; в схеме с ОЭ: h 11Э = 1500 Ом; h 12Э = 10 -3 ; h 21Э = 50; h 22Э = 50 мкСм; в схеме с ОК: h 11Э = 1500 Ом; h 12К = 1; h 21К = -50; h 22К = 50 мкСм. Для схемы с ОБ: K I = 0,98; K U = - 0,98 * 10 3  1000; K P  1000 ( R н = 30 кОм). Недостаток схемы с ОБ – низкое входное сопротивление, за- трудняющее согласования ступеней усиления. Для схемы с ОЭ: K I = 50; K U = -66,7  70; K P  3500 ( R н = 2 кОм). Благодаря более высоким входному сопротивлению и усилению по мощности схема с ОЭ на практике получила самое широкое рас- пространение. В схеме с ОК на эмиттерном переходе действует напряжение U m Б , равное разности между входным U вх и выходным U вых напряжения- ми. Поэтому коэффициент усиления по напряжению схемы сОК всегда меньше единицы: вх Б вых вх вх 1 m U U U U K U U         ; (5.1)