Современные программные средства для проектирования, моделирования измерительных систем в приборостроении. Ч. 1 : Программа схемотехнического моделировани Electronics Workbench

72 7. Емкость между затвором и стоком при нулевом смещении , Ф (Zero-bias gate-drain junction capacitance Cgd [CGD]). 8. Емкость между затвором и истоком при нулевом смеще - нии , Ф (Zero-bias gate-source junction capacitance Cgs [CGS]). 9. Контактная разность потенциалов р - n - перехода , В (Gate- junction potential pb [ РВ ]) – только для полевых транзисторов с р - n - переходом . Необходимо отметить , что в EWB для полевых транзисторов используются модели PSpice. По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы включения полевых транзисторов : с общим затвором (O3), с общим истоком ( ОИ ) и с общим стоком ( ОС ). В диалоговом окне установки параметров МДП - транзисторов по сравнению с униполярными транзисторами содержатся допол - нительные параметры , назначение которых заключается в следую - щем ( в квадратных скобках – обозначения параметров , приятые в EWB): 1. Поверхностный потенциал , В (Surface potential ph [PHI]). 2. Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение , В 1/2 (Bulk-threhold parametr g [GAMMA]). 3. Емкость между затвором и подложкой , Ф (Gate-bulk capacitance Cgb [CGB]). 4. Емкость донной части перехода сток - подложка при нуле - вом смещении , Ф (Zero-bias bulk-drain junction capacitance Cbd [CBD]). 5. Емкость донной части перехода исток - подложка при нуле - вом смещении , Ф (Zero-bias bulk-source junction capacitance Cbs [CBS]). 6. Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки , В (Bulk-junction potential рВ [ РВ ]). В программе EWB количество параметров моделей МДП - транзисторов размещаются в трех диалоговых окнах - закладках . К дополнительно введенным относятся следующие параметры : • LD – длина области боковой диффузии , м ;