Современные программные средства для проектирования, моделирования измерительных систем в приборостроении. Ч. 1 : Программа схемотехнического моделировани Electronics Workbench

71 • p - канальный МДП транзистор с индуцированным каналом и раздельными выводами подложки и истока ; • n - канальный арсенид галлиевый транзистор ; • p - канальный арсенид галлиевый транзистор . Рис . 4.13. Полевые транзисторы Параметры моделей полевых транзисторов ( в квадратных скобках приведены их обозначения в EWB 5.0): 1. Напряжение отсечки , В (Threshold voltage VTO [VTO]) – напряжение между затвором и истоком полевого транзистора с р - n - переходом или с изолированным затвором , работающих в режиме обеднения , при котором ток стока достигает заданного низкого на - пряжения . Для транзисторов с изолированным затвором , работаю - щих в режиме обогащения , этот параметр называется пороговым напряжением . 2. Коэффициент пропорциональности , А / В (Transconductance coefficient В [ КР ]). 3. Параметр модуляции длины канала , 1/ В (Channel-length modulation 1m [LAMBDA]). 4. Объемное сопротивление области стока , Ом (Drain ohmic resistance Rd [RD]). 5. Объемное сопротивление области истока , Ом (Source ohmic resistance Rs [RS]). 6. Ток насыщения р - n - перехода , A (Gate-junction saturation current Is [IS]) – только для полевых транзисторов с р - n - переходом .