Современные программные средства для проектирования, моделирования измерительных систем в приборостроении. Ч. 1 : Программа схемотехнического моделировани Electronics Workbench

69 Набор задаваемых параметров для биполярных транзисторов в EWB собран в пяти окнах - закладках . Дополнительные параметры находятся в последних трех закладках . Эти параметры имеют сле - дующее назначение : • NF – коэффициент неидеальности в нормальном режиме ; • NR – коэффициент неидеальности в инверсном режиме ; • IKR – ток начала спада коэффициента усиления тока в ин - версном режиме , А ; • NC – коэффициент неидеальности коллекторного перехода ; • RBM – минимальное сопротивление базы при больших то - ках , Ом ; • IRB – ток базы , при котором сопротивление базы уменьша - ется на 50 % от разницы RB-RBM, А ; • XTF – коэффициент , определяющий зависимость времени TF переноса зарядов через базу от напряжения коллектор - база ; • VTF – напряжение коллектор - база , при котором начинает сказываться его влияние на TF, В ; • ITF – ток коллектора , при котором начинается сказываться его влияние на TF, А ; • PTF – дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора F гр = l/(2 π TF ), град .; • VJS – контактная разность потенциалов перехода коллек - тор - подложка , В ; • MJS – коэффициент плавности перехода коллектор - подложка ; • XCJC – коэффициент расщепления емкости база - коллектор ; • FC – коэффициент нелинейности барьерной емкости прямо смещенных переходов ; • EG – ширина запрещенной зоны , эВ ; • ХТВ – температурный коэффициент усиления тока в нор - мальном и инверсном режимах ; • ХТ 1 – температурный коэффициент тока насыщения ;