Современные программные средства для проектирования, моделирования измерительных систем в приборостроении. Ч. 1 : Программа схемотехнического моделировани Electronics Workbench

68 • объемное сопротивление базы , O м (Base ohmic resistance rb [RB]); • объемное сопротивление коллектора , O м (Collector ohmic resistance re [RC]); • объемное сопротивление эмиттера , O м (Emitter ohmic resistance re [RE]); • емкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении , Ф (Zero-bias B-E junctin capacitance Ce [CJE]); • емкость коллекторного перехода при нулевом напряжении , Ф (Zero-bias С - Е junction capacitance Cc [CJC]); • емкость коллектор - подложка , Ф (Substrate capacitance Cs [CJS]); • время переноса заряда через базу , с (Forward transit time IF [TF]); • время переноса заряда через базу в инверсном включении , с (Revers transit time tR [TR]); • коэффициент плавности эмиттерного перехода (B-E junction grading coefficient me [ME]; • коэффициент плавности коллекторного перехода ( В - С junction grading coefficient mc [MC]); • напряжение Эрли , близкое к параметру U к max , В (Early voltage VA [VA]); • обратный ток эмиттерного перехода , A (Base-Emitter Leak- age Saturation Current Ise [ISE]); • ток начала спада усиления по току , близкий к параметру I к max , A (Forward Beta High-Current Knee-Point Ikf [IKF]); • коэффициент неидеальности эмиттерного перехода (Base- Emitter Leakage Emission Coefficient Ne [NE]); • контактная разность потенциалов перехода база - коллектор , В ( В - С junctij potential pc [VJC]); • контактная разность потенциалов перехода база - эмиттер , В ( В - Е junction potential ре [VJE]).