Современные программные средства для проектирования, моделирования измерительных систем в приборостроении. Ч. 1 : Программа схемотехнического моделировани Electronics Workbench

67 • Zero-bias junction capacitance Cj [CJO], Ф – барьерная ем - кость динистора при нулевом напряжении на переходе ; • Gate Trigger voltage Vgt [VGT], В – напряжение на управ - ляющем электроде открытого тринистора ; • Gate Trigger current lgt [IGT], A – ток управляющего элек - трода ; • Voltage at which lgt is measured Vd [VD], В – отпирающее напряжение на управляющем электроде . Перечень параметров диодов приведен в приложении . 4.8. Биполярные транзисторы В библиотеку EWB включено достаточно большое количест - во импортных биполярных транзисторов , отечественные аналоги которых можно найти в справочниках ( рис . 4.12). В некоторых случаях может оказаться более удобным самостоятельно создать отдельную библиотеку отечественных транзисторов , используя команду Model. Рис . 4.12. Биполярные транзисторы В состав параметров транзисторов включены ( в квадратных скобках приведены обозначения параметров , принятые в EWB): • обратный ток коллекторного перехода , A (Saturation current Is [IS]); • коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ Н 21 э (Forward current gain coefficient BF [BF]); • коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ при инверсном включении транзистора ( эмиттер и коллектор меняются местами ) (Reverse current gain coefficient BR [BR]);