Современные программные средства для проектирования, моделирования измерительных систем в приборостроении. Ч. 1 : Программа схемотехнического моделировани Electronics Workbench

147 ПРИЛОЖЕНИЕ Параметры диодов Saturation current [IS], A Обратный ток диода , по умолчанию 10 –14 A Ohmic resistance [RS], Ohm Объемное сопротивление ( от десятков до десятых долей Ом ) Zero-bias junction capacitance [CJO], Ф Барьерная емкость p - n- перехода при нулевом напряжении ( от единиц до десятков пФ ) Junction potential [VJ], В Контактная разность потенциалов (0,75 В ) Transit time [TT], В Время переноса заряда Grading coefficient [M] Конструктивный параметр p - n- перехода ( в большинстве случаев 0,333) Reverse Breakdown Voltage [BV], B Напряжение пробоя Emission coefficient [N] Коэффициент инжекции Activation Energy [EG] Ширина запрещенной зоны , эВ Temperature exponent for effect on IS [XT] Температурный коэффициент тока насыщения Flicker noise coefficient [KF] Коэффициент фликкер - шума Flicker noise exponent [AF] Показатель степени в формуле для фликкер - шума Coefficient to forward-bias depletion capacitance formula [FC] Коэффициент нелинейной барьерной емкости прямосмещенного перехода Current at reverse breakdown voltage [IBV], A Начальный ток пробоя при напряжении BV Parameter measurement temperature [TNOM], ° C Температура диода Перечень параметров для стабилитронов Zener test current [IZT], A Номинальный ток стабилизации ( от единиц до десятков мА ) Zener test voltage at IZT [VZT], В Напряжение стабилизации при номиналь - ном токе стабилизации