Основы проектирования электронных средств

Совершенство используемой элементной базы и конструкции в целом может быть охарактеризовано плотностью упаковки эле­ ментов на площади или в объёме: N 75 = о " У (3.4) [УсЛ где N - количество элементов {N = N\v:n^+ «эрэ); S и V - площадь и объём устройства; п, - количество элементов в составе ИС; Пэрэ - количество дискретных электрорадиоэлементов. Плотность упаковки является главным показателем уровня интеграции конструктивов того или иного уровня. Например, для полупроводниковой ИС с объёмом кристалла 1 мм^ и коли­ чеством элементов в нем 40 уис = 40-10^ эл/см'. Для цифрового блока ЭС этот показатель может быть Уб = 40 эл/см . т.е. наблю­ дается явление дезинтеграции. Дезинтеграция связана с тем, что кристаллы ИС корпусируются, корпусированные ИС устанавли­ ваются на плате с зазорами, при установке функциональной ячейки (ФЯ) в блок также выдерживаются зазоры в конструкции. Удельная мощность рассеяния Руд характеризует тепловую нагруженность конструкции: Р.,. Вт/ / Д М " (3.6) Р — V- у Тепловая нагруженность устройств при переходе на микро­ электронную элементную базу обычно возрастает (за счёт увеличе­ ния плотности упаковки). Так, для блока цифрового ЭС третьего поколения Руд J = (20^30) Вт/дм', а для аналогичного блока четвер­ того поколения 40 Вт/дм' и выще. К относительным покспателям относятся коэффициенты заполнения объёма конструкции, коэффициенты дезинтеграции, Вт/ (3.7) 84