Основы проектирования электронных средств

при которой наряду с кожухом РЭС 8 используют полияилено- свинцовый экран 9 для защиты от у-излучения, термический про- тивонейтронный экран 10 из полиэтилена с окисью бора, поли- этилено-графитовый замедлитель быстрых нейтронов II и внеш­ нюю оболочку 12 из нержавеющей стали. поток изл1/чен1/я 7 z f m «'tntt'Mttt Рис. 7.2.^. Защита РЭС от ионизирующих излучений общим (а), теневым (о) и многослойным экраном (в) с поглощающей прослойкой (г); схема гамма-нейтронной защиты (d) Технологические методы повыщения радиационной стойко­ сти устройств РЭС на дискретных компонентах - это ор1анизация входного контроля и отбора для наименее стойких компонентов по критерию наименьшей радиационной чувствительности. Контрольные вопросы 1. Перечислите основные источники и приемники наводок. 2. Как изменяется влияние различных источников наводок в зависимости от расстояния? 3. Как можно уменьшить величину наводимого напряжения за счет паразитной емкостной связи? 4. От чего зависит паразитная индуктивная связь? 5. Каков механизм передачи посредством электромагнитно­ го ноля? 6. Каковы принципы экранирования электрического поля? 7. Какие задачи решаются при экранировании? 8. Приведите основные рекомендации по локализации элек­ трического поля. 9. Каким образом можно увеличить эффективность экрани­ рования магнитного поля? 440