Основы проектирования электронных средств

Стойкость металлов к воздействию ионизирующих излуче­ ния (ИИ) обусловлена высокой концентрацией свободных но­ сителей заряда и слабой зависимостью характеристики от дефек­ тов кристаллической решетки. У большинства металлов при воз­ действии ИИ предел текучести возрастает в 2-3 раза, а ударная вяз­ кость снижается. Наименьшей радиационной стойкостью обладают электротехнические стали и магнитные материалы, у которых из­ меняется магнитная проницаемость ц. Наименее устойчивы к воздействию ИИ полупроводниковые и органические материалы. У полупроводниковых материалов при облучении изменяются время жизни и подвижность носителей за­ ряда, коэффициент Холла, у органических — механические свой­ ства, электрическая прочность, диэлектрическая проницаемость, угол диэлектрических потерь. Резисторы. У резисторов ИИ вызывает обратимые или необратимые изменения сопротивления, увеличение уровня шумов, ухудшение влагостойкости резисторов. Основными причинами яв­ ляются дег радация электрофизических характеристик резистивного и электроизоляционных материа,юв (резкое увеличение проводи­ мости из-за ионизационных эффектов в материалах, воздухе или другой среде, окружающей резистор), причем эти изменения при воздействии у-излучения носят в основном обратимый харак­ тер. После окончания облучения исходное значение сопротивления восстанавливается менее чем через 2 мс. Наиболее устойчивы к воздействию ИИ керамические и про­ волочные резисторы. В конструкции этих резисторов используются лишь радиационностойкие материалы: металл, керамика, стекло. Менее устойчивы металлопленочные и пленочные углеродистые резисторы, у которых может наблюдаться постепенное увеличение сопротивления до 3,5%. Бороу! леродистые резисторы ненадежны при облучении теп­ ловыми нейтронами: поток ионизирующих частиц (ПИЧ) около 10'" нейтр./см" вызывает существенное (на 20%) повышение сопро­ тивления и снижение влагостойкости резисторов в два раза. Основ­ ная причина связана с нарушением структуры проводящей пленки. Композиционные резисторы в равной мере нестойки к кор­ пускулярному и фотонному излучениям. Длительное воздействие 432