Основы проектирования электронных средств

где - сопротивления элементов ИС; - входное сопро­ тивление транзистора ИС; п - число микросхем нафузок ИС1. Определим время с момента начала воздействия помехи до начала реакции на выходе любой схемы: = г1п- + с , ) и момент времени окончания реакции: (7.30) t, = I... + г In( 1 - е - ' - - ) TNCU... (7.31) Тогда длительность реакции на запирающую помеху на уровне порога на выходе ИС1 можно определить так: (1-с'-'~") (7.32) После разложения данного выражения в степенной ряд до­ пустимая емкость связи может быть определена в виде: С = тпп - Ц ™ ) + (^10Г пер+ ^ i ™ - ' . к п ) с. 2(t/ „„ N (7.33) где 1„ ,ап - максимальная длительность реакции на замирающую помеху на уровне порога; i?iKB - эквивалентное сопротивление па­ раллельно включенных выходных и входных сопротивлений ИС в точке наводки помехи. В данном выражении практически все аргументы могут быть определены по электрическим характеристикам применяемых ИС. 7.5.4. Рекомендации по выполнению электрического монтажа при конструировании РЭС на микросхемах Для уменьщения восприимчивости аппаратуры на ИС к раз­ личным 1юмехам необходимо соблюдать правила: 1) Максимально применять развязку по цепям питания, под­ ключая конденсаторы индивидуальной развязки к отдельным мик- 4 2 5