Основы проектирования электронных средств

Рис. 7.21. Определение статической помехоустойчивости для ИС К155: } - гарантированные прелелы выходного напряжения логической единицы и логического нуля; 2 н 5 - допусти­ мые пределы входного напряжения логической единицы и логического нуля; i и б - помехоустойчивость по на­ пряжению логической единицы и логического нуля Устойчивость ИС ТТЛ к воздействию коротких импульсов помех различной амплитуды и длительности оценивается с помо­ щью характеристики динамической помехоустойчивости, которая представляет собой зависимость допустимой амплитуды импульса помехи от его длительности. Таким образом, характеристика дина­ мической помехоустойчивости ИС определяет пзаницу, разделяю­ щую область допустимых импульсных помех от области недопус­ тимых импульсных помех. Характеристика динамической помехоустойчивости зави­ сит от быстродействия ЛЭ, а также от коэффициента нагрузки ИС (рис. 7.22). СЛи.лсм € , £ S 2.0 10 30 so Рис. 7.22. Характеристикаданамическойпомехоустойчивости; а - зона допустимой положительной помехи; б-зона допустимой отрицательной помехи б 7 о Д " - г ),4 ] ' 422