Основы проектирования электронных средств

(7.26) t t где и - погонная индуктивность и емкость проводника; г „ « 3 , 3 нс/м'- удельная задержка распространения электромаг­ нитной волны в вакууме; е^ф- эффективное значение относительной диэлектрической проницаемости окружающей проводник среды. Обычно |д = 1 (проводник в воздухе). Тогда имеем: (7.27) где е,ф = е - если проводник расположен в однородном диэлектрп- 8 + 1 ке и е^ф = —^ на границе твердого диэлектрика и воздуха. Для большинства диэлектриков е находится в пределах 2^6. Отсюда =4-н7нс/м. Одна и та же .пшия может рассматриваться для одного сиг­ нала как длинная, для другого - как короткая. Например, если / = 1м и Тфп = 10 НС, то линия будет электрически длинной, а для Тфп = 100 НС - электрически короткой. 7.5.2. Статическая и динамическая помехоустойчивость ИС Статическая помехоустойчивость характеризует допустимые уровни помех, воздействующих на входы ИС в виде постоянных или медленно изменяющихся уровней напряжений, при которых ИС остается в первоначальном логическом состоянии (рис. 7.21). Статическая помехоустойчивость по напряжению логической единицы получается как разность между минимальным выходным напряжением логической единицы и входным пороговым напряже­ нием логической единицы: 77 ' - ( / ' ВЫХ min ^ вх пор • Статическая помехоустойчивость по напряжению логиче­ ского нуля есть разность между входным пороговым напряжением логического нуля и максимальным входным напряжением логиче­ ского нуля. и ВЫХ ПИП ~ ^ вх пор • 421