Основы проектирования электронных средств

7.2.2. Принципы экранирования магнитного поля Следует различать экранирование постоянного и медленно изменяющегося магнитного поля и экранирование от высокочас­ тотного магнитного поля. Экранирование от постоянного магниг- ного поля осуществляется при помощи экранов из ферромагнит­ ных материалов (стали, пермаллоя) с большой относительной маг­ нитной проницаемостью . Экранирование в этом случае осно­ вано на эффекте шунтирования магнитного поля (рис. 7.5). Рис. 7.5. Экранирование постоянного магнитного поля Линии магнитной индукции проходят в основном по стенкам экрана, которые обладают малы.м магнитным сопротивлением по сравнению с во иушным пространством внутри экрана. Эффективность экранирования тем выше, чем больше магнитная проницаемость материала экрана, голше экран и чем меньше в нем стыков и швов, идущи.х поперек направления линии магнитной индукции. Для экранирования ВЧ магнитного поля используются экра­ ны ферромагнитных и немагнитных металлов. Внутри цилиндри­ ческого экрана наводятся вихревые токи, которые направлены навстречу возбуждающему полю (рис. 7.6, а). а б Рис. 7.6. Экранирование магнитного поля 408