Основы проектирования электронных средств

Тогда и g.iH^nH . (7.2) •^„ар + ^ПН Отсюда следует, что наведенное напряжение будет тем больше, чем меньше емкостное сопротивление .\', „p ( т.е. чем больше С„ар.) и чем больше сопротивление Zn ». Если полное сопротивление точки В относительно корпу­ са носит чисто емкостной характер, то ^ H = - V • ;ыСд Тогда С„, ' пн ~ ^^ин ' ^ п н = и н т : ^ • (7-4) С с Коэффициент паразитно!! емкостной связи р может быть определен как отношение напряжения приемника наводок к эдс источника наводок: т т V С С Q —^ П Н _ ^ И Н пар _ пар С 7 5 ' ) Е Е С + Г Г + Г Чтобы уменьшить Спар, изменяют расположение тел, от­ даляют их на максимально возможное расстояние друг от дру­ га, меняют ориентацию; используют в конструкции миниатюр­ ные радиоэлементы. При недостаточности всех этих мер между элементами устанавливается экран для экранирования электри­ ческого поля (эффективность не зависит от толщины экрана - применимы даже электропроводящие краски). Узкие щели и отверстия в экране не ухудшают экранирование электрического поля, если они малы по сравнению с длиной волны. 7,1.2. Паразитная индуктивная связь Протекание электрического тока по любой цепи порождает постоянное или переменное магнитное поле, при этом перемен­ ное магнитное поле возбуждает в окружающих проводниках ЭДС, величина которой растет с повышением частоты. 399