Основы проектирования электронных средств

электрика ФДЛ (лавсан) или ФДИ (полиамидные пленки) с нанесе­ нием на них печатных проводников. Толщина пленки составляет 0,1-2 мм. Остальные параметры печатных лент соответствуют па­ раметрам обычных печатных плат. Шлейфовый монтаж обычно используется для второго и выше уровней коммутации. Контакти­ рование шлейфов и ФЯ может осуществляться зажимными кон­ тактными вставками, однако это вносит элемент ненадежности при вибрациях. Поэтому чаще шлейфы непосредственно развариваются на контактных площадках или штырях и допо.шительно заливают­ ся компаундом или клеем для жесткости соединения. К достоинствам щлейфового монтажа относятся малый вес и объем, возможность автоматизированного проектирования и изго­ товления, а к недостаткам - меньшая надежность при возможных многократных перегибах шлейфов и трудности изменения печатно­ го рисунка при необходимости корректировки. Поэтому шлейфы рекомендуют применять для ЭС, серийно выпускаемых и доста­ точно отработанных. Пленочный монтаж применяется для коммутации элементов ИС различного уровня сложности и сам может иметь несколько уровней коммутации. Так, в ИС первой и второй степени инпегра- ции пленочные проводники и контактные площадки изютавлива- ются в едином технологическом цикле методом тонкопленочной или голстопленочной технологии совместно с радиоэлементами схем и образуют первый уровень коммутации. Разработка пленоч­ ного монтажа подчиняется основным правилам и ограничениям при разработке топологии пленочных ИС. При разработке ИС третьей и четвертой степени интеграции пленочный монтаж выполняется на так называемой «трассировоч­ ной» подложке (второй уровень коммутации) и представляет собой систему проводников с контактными площадками для приварки к ним выводов навесных бескорнусных элементов и микросхем бо­ лее низкой степени интеграции. В связи с увеличением степени интеграции БГИС и недопус- 1 и.мости пересечения пленочных трассировок подложки могут быть выполнены в виде многослойной тонкопленочной подложки. В них коммутационные слои разделены боросиликатным сгеклом. в кото­ ром имеются сквозные отверстия для межслойной коммутации. 332