Техника и технология переработки и утилизации отходов

кулы в твердую фазу) уменьшается пересыщение вблизи кристалла, т.е. снижается концентрация раствора, непосредственно приле­ гающего к поверхности кристалла, и возникает градиет- концен­ траций в пограничном слое, расположенном на поверхности кри­ сталла и ставшем из перенасыщенного насыщенным. Разность кон­ центраций пересыщенного и насыщенного растворов способствует возникновению диффузии молекул в пограничном слое из свобод­ ного объема пересыщенного раствора к поверхности вфисталлов. Удельный поток вещества к грани кристалла называется ско­ ростью кристаллизации и определяется как диффузией в погранич­ ном слое, т.е. скоростью перехода молекул, находящихся на по­ верхности раздела фаз, в кристаллическую решетку, так и скоро­ стью фазового превращения на границе кристалла. Процесс встраивания молекул в кристалл идет с большой скоростью, и кинетика процесса определяется скоростью подвода вещества к поверхности кристалла, т.е. массопереносом в погра­ ничном слое. В этом случае, в соответствии с законом Щукарева, скорость диффузии частиц к поверхности кристалла определится уравнением: а скорость роста кристалла где F - площадь поверхности кристалла; - концентрация веще­ ства у поверхности кристалла. Общее уравнение скорости кристаллизации имеет вид: = —-— F(c -С*) = К F(C -с*), dt l/p +1/p^ ^ ^ " ' где М]. - количество диффундирующего вещества; т - время; р и р1ф - коэффициенты массоотдачи и процесса кристаллизации; - коэффициент скорости кристаллизации. 282