Оптические материалы и технологии

Наиболее рационально при построении решения для одноос­ ных кристаллических слоев использовать методФедорова. Опреде­ лим электрическое пол е падающей плоской волны как: Ё = а 1 + -X t BIm ,i'\ ,где«-показатель преломления среды, из кото- L J рой падает плоская волна Ёо.х-р{тг-Ш)] т - в е к т о р рефракции; т =а] + г[к, i,j, к - орты осей координат, связанные с поверхнос­ тью; А, В- величины полей в плоскости падения и ортогональной ей плоскости; а - nsin<p; г| = ncos(p; (р - угол падения излучения на поверхность покрытия; о-частота , г-время. Магнитное поле оп­ ределяется векторным произведением Диэлектрические свойства слоя описываются тензорной диэлек­ трической проницаемостью вида: е = 8с, + (s^- £ о)схс, где - диэлект­ рическая проницаемость для обыкновенного луча; s^-диэлектричес­ кая проницаемость для необыкновенного луча; + + направле^ие оси тензора (оптической оси); /у - направляющие коси­ нусы; схс - диадное произведение векторов. Толщину слоя обозна­ чим h, тогда набег фазы обыкновенного луча при прохождении слоя оказывается равным где = 2uft/A,; г|о= X. - длина волны. Набег фазы при прохождении слоя для необыкновенного луча -г|гЧ', здесь D + F ^ \ t I а й? = ео+(е,-8„)/з^ F ' = 8„ {е, [е„ + (е, - ] - а ' [8„ + (8, - е +1])]}. При прохождении света в обратном направлении (свет, отра­ женный от второй границы слоя) эти величины имеют вид: = =-т1оЧ', "п/ = {D-F)/d. Приведенные величины полностью описыва­ ют эволюционную матрицу распространения света в слое. 330