Оптические материалы и технологии

ми, формой, крутизной контролируемой асферической поверхнос­ ти, стремлением уменьшить влияние вибраций и воздушных тепло­ вых потоков и увеличить допуски на продольное и поперечное сме­ щение элементов схемы от расчетного положения. С учетом всех этих условий доя каждой конкретной контролируемой детали вы­ бирается оптимальный вариан т схемы контроля. 2, Расстояния между основными оптическими элементами выби­ раются согласно рис. 2.77, который соответствует второму варианту контрольной схемы, представленному на рис. 2.84,1фичем с синтези­ рованной г'олограммой в проходящем свете. Критерии выбора рассто­ яний между основными оптическими элементами схемы контроля при­ водятся для варианта контрольной схемы, представленного нарис. 2.84. Все приведенные критерии выбора расстоя1Шй между основными оп­ тическими элементами контрольной схемы аналогичны для вариан­ тов контрольной схемы, представленных на рис. 2.83,2.85,2.86. 3, Расстояние Л,, от вершины контролируемой поверхност'Идо точки О2 выбирается с учетом габаритных размеров установочной плиты таким образом, чтобы точка О2располагалась вблизи одно­ го из фокусов поверхности, описываемой первыми двумя коэффи­ циентами уравнения контролируемой поверхности, причем отступ­ ление точки О2 от фокуса выбирается так, чтобы волновой фронт, отраженный от контролируемой поверхности и падающий на син­ тезированную голограмму, был сходящимся. 4, Расстояния /н а выбираются, исходя из размеров синтези­ рованной голограммы и частоты ее полос, которые определяются возможностями аппаратуры для изготовления синтезированных го­ лограмм, Локальная частота синтезированной голотраммы v, мм определяется по формуле sinOi -siny v _ - где 0| - угол падения на синтезированную голотрамму луча, отра­ женного о т детали, град,; у - угол дифракции, град.; А,-длина волны используемого лазера, мм. Углы 0| и у определяются расчетом хода лучей через систему; «контролируемая новерх}юсть + сиптезироватгая голограмма». 199