Xl Туполевские чтения : всероссийская (с международным участием) молодежная научная конференция. Казань, 8-10 октября 2003 г., тезисы докладов. Т. 3

Имитационное моделирование поля локального источника широкополосного сигнала расположенного нал плоским многослойным экраном Т.А. Аюпов Научный руководитель Н.Г, Воробьев, к.т.н., доцент Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева Оценка параметров электромагнитного экрана для сигнала произ­ вольной формы характеризующихся широким спектром имеет большое практическое значение при разработке электронной аппаратуры, для реше­ ния задач ЭМС. Для широкополосных сигналов наиболее эффективными являются многослойные экраны. В предлагаемом сообщении исследование плоского слоистого экрана в близи локального источника (электрического диполя) осуществляется с помощью новых моделирующих средств. В основу модели положены строгие математические соотношения в виде интегралов Фурье во временной и пространственной области для компонент электромагнитного поля, полученные в работе [1]. Особое вни­ мание уделено эффективности экранирования широкополосных импульсов произвольной формы в ближней зоне источника. По результатам моделирования удается проследить последовательное прохождение поля импульса через слои в экранируемую область. Много­ слойный экран с заданными параметрами слоев рассматривается в качест­ ве аналога линейной цепи и выходной сигнал ещ представляется в виде прохождения детерминированных колебаний через эти цепи в форме об­ ратного преобразования Фурье. Профамма написана в среде LabVIEW и позволяет рассчитать поле в любом слое рассматриваемой структуры, частотные и временные харак­ теристики сигнала. Она формируется в виде функциональных блоков, одни из которых выполняют соответствующие вычислительные операции мате­ матической модели другие имитируют реальные измерительные приборы, которые выполняют обработку результатов вычислений и представляют их в виде осциллограмм на виртуальном индикаторе осциллографа и анализа­ тора спектра в частотной и временной области. Литература: 1. Даутов О.Ш. моделирование полей при конструировании электрон­ ной аппаратуры. Учебное пособие. Казань 1997г. 1 3 f