Теория электромагнитного поля

нально настоящему геометрическому сопротивлению, или инверсное геометри­ ческое сопротивление равно настоящей геометрической проводимости. 4.6. Расчет электростатической системы методом схем замещения Рассмотрим основные моменты расчета электростатической системы путем построения схемы замещения. Система делится на элементы поверхностями, которые можно принять за эквипотенциальные, т. е. на них постоянен электри­ ческий потенциал, и поверхностями, образованными силовыми линиями элек­ трической индукции. Каждый элемент ограничен двумя эквипотенциальными поверхностями и одной трубчатой. Поток вектора электрической индукции внутри трубчатой поверхности принимается постоянным. Эквипотенциальным поверхностям соответствуют узлы схемы замещения. При необходимости учета потоков вектора смещения, выходящих с боко­ вой поверхности элемента, он разбивается на несколько элементов либо прово­ димость местного потока приводится к концам элемента. Па рис. 4.7 показана электростатическая система, содержащая четыре электропроводящих тела - Вi, В4. Тело В^ подключено к зажиму '+' источни­ ка ЭДС El и имеет электрический потенциал 12 В. Тело В4 подключено к зажи­ му источника ЭДС Е2 и имеет электрический потенциал -12 В. Тела В2, Вз электрически изолированы. Примем, что потенциалы тел В2, Вз имеют значения +4 В и -4 В соответст­ венно. В силу симметрии линия нулевого потенциала проходит симметрично относительно тел В2, В^, т.е. вертикально. В равномерном зазоре между телами Bi, В4 эквипотенциальные линии, со­ ответствующие потенциалам 10 В, 8 В, ..., -8 В, -10 В, расположены равно­ мерно (всего 11 прямых линий). В равномерном зазоре между телами Bi, В2 эквипотенциальные линии, со­ ответствующие потенциалам 10 В, 8 В, 6 В, расположены равномерно (всего 3 прямые линии). При выходе из зазора наружу эквипотенциали раздвигаются. 75