Силовая электроника

Каждый из них имеет свою предпочтительную область применения. Области применения их, как правило, перекрываются. 2. Особенности устройства и характеристик мощных полупроводниковых приборов и устройств 2.1 Биполярные транзисторы На рис. 1.1 приведена в упрощенном виде типовая структура силового биполярного транзистора изготовленного по эпитаксиально-планарной технологии. Транзистор имеет вертикальную структуру. Это увеличивает активную площадь и уменьшает сопротивление открытого транзистора. Но большая площадь протекания тока создает предпосылки для его неравномерного распределения и т.о. возможности локальньного и вторичного пробоя. В К Рис. 1.1 Преимущества БП: - относительно малое падение напряжения во включенном состоянии, достаточно хорошие частотные характеристики и полная управляемость в сравнении с традиционными тиристорами Недостатки БП: 8