Силовая электроника

с целью использования всех преимуществ тиристорной структуры и для устранения проблем управления ими возникли и активно развиваются гибридные структуры тиристор - МОП-управление. Одной из таких разработок является запираемый тиристор с МОП-управлением (МСТ - MOS- Controlled Thyristor) [Gate Control Thyristor (GST)]. В эту группу также входят: МСТ - MOS -управляемый тиристор; FCT - тиристор с полевым управлением ; МТО MOS-запираемый тиристор ; EST - тиристор с переключающим эмиттером; IGTT - запираемый тиристор с изолированным затвором; IGT - тиристор с изолированным затвором; GCT коммутируемый тиристор; IGCT (Integrate gate-commutated thyristor) - коммутируемый тиристор с интегрированным управлением и др. Многообразие ключей на основе тиристорной структуры объясняется тем, что она обладает изначальной способностью проводить большие токи с минимальными потерями. В этих разработках комбинируются лучшие характеристики тиристоров и транзисторов. Успешное развитие этих разработок практически завершат эру классических полупроводниковых приборов - тиристоров и биполярных транзисторов. 2. Области применения полупроводниковых приборов Итоговые сравнительные характеристики различных типов силовых полупроводниковых приборов приведены в таб. 1 . Таблица 1 Параметр Биполярный МОП- БТИЗ Тиристор Запираемый Тиристор транзистор Транзистор (IGBT) (SRT) Тиристор С МОП- (Сх. (MOSFET) (ОТО) управлением 17