Порошковые технологии

86 X Y Z Изображение поверхности, получаемое после компьютерной обработки 10 нм 10 нм Заданный ток Туннельный ток Регулировка цепи обратной связи Образец X Y Z U X-Y развертка Рис. 4.12. Схема сканирующего туннельного микроскопа СТМ позволил наблюдать атомно-молекулярную структуру поверхности кристаллов в нанометровом диапазоне размеров. Высокая разрешающая способность СТМ обусловлена тем, что туннельный ток изменяется на три порядка при изменении ширины барьера на размеры атома. 4.4. Атомно-силовая микроскопия Принцип действия атомно-силового микроскопа (АСМ) показан на рис.5.13.Луч лазерного диода падает под углом на поверхность кантилевера и, отражаясь от зеркала, попадает в центр четырехсекционного фотодиода. Величина изгиба детектируется прецизионным датчиком. В зависимости от знака силы, микроскоп может работать в «контактном» (или режим отталкивания) и «бесконтактном» ( или режим притяжения) режимах (рис.4.14). При этом упругая сила изгиба кантилевера, действующая на зонд, направлена либо в сторону образца (контактный режим), либо в обратную от образца сторону (бесконтактный режим), что соответствует прямому или обратному изгибу кантилевера. Если в измерительной консоли АСМ