Квантовая и оптическая электроника

30. Квазиуровни Ферми. Условия инверсии и усиления в полупроводниках. 31. Инжекционная электролюминесценция. Диффузионная длина. Вырождение. Гетеропереход. Эффекты, наблюдаемые в гетероструктурах. 32. Инжекционные ДГС-лазеры. 33. Гетеролазеры с раздельным электронным и оптическим ограничением. Коэф­ фициент удержания света. Лазеры на полупроводниковых квантовых ямах. По­ верхностно-излучающие лазеры с вертикальным резонатором. Брэгговское зерка­ ло.